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霍尔式传感器

2016-12-19 14:16:47 | 人围观 | 评论:

1、霍尔效应

    置于磁场中的静止载流导体,当它的电流方向与磁场方向不一致时,载流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势,这种现象称霍尔效应。该电势称霍尔电势。

    霍尔效应演示:

    当磁场垂直于薄片时,电子受到洛仑兹力的作用,向内侧偏移,在半导体薄片c、d方向的端面之间建立起霍尔电势。

2、霍尔元件材料

    1)由RH=μρ,霍尔常数RH要大,即要求μρ 大;

    2)金属材料载流子迁移率很高,但电阻率很小;

    3)绝缘材料电阻率极高,但载流子迁移率极低;

    4)故只有半导体材料才适于制造霍尔片;

    5)常用材料:锗、硅、砷化铟、锑化铟。

3、霍尔元件基本结构

    外形结构:               图形符号:

    

    壳体是用非导磁金属、 陶瓷或环氧树脂封装

4、霍尔元件几个主要参数

    霍尔常数RH :RH = μρ

    霍尔灵敏系数KH :KH = RH /d

    输入电阻:激励电极间的电阻值称为输入电阻。

    输出电阻:霍尔电极输出电势对电路外部来说相当于一个电压源,其电源内阻即为输出电阻

    额定激励电流:霍尔元件温升10℃时流过的激励电流.

    措施:改善散热条件,可以使激励电流增加。





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