2016-11-09 12:49:07 |人围观 |
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1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。
2.集电极电阻 越大越容易饱和；
3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制
基极电流达到多少时三极管饱和？
这个值应该是不固定的，它和电源电压,集电极负载、β值,基极电阻,
基极信号大小有关.
另外一个应该注意的问题就是：在Ic增大的时候，hFE会减小，所以我们应该让三极管进入深度饱和Ib〉〉Ic（max）/hFE,Ic(max)是指在假定e、c极短路的情况下的Ic极限，当然这是以牺牲关断速度为代价的。
饱和时Vb>Vc，但Vb>Vc不一定饱和
一般判断饱和的直接依据还是防大倍数，有的管子Vb>Vc时还能保持相当高的放大倍数
例如：有的管子将Ic/Ib<10定义为饱和
Ic/Ib<1应该属于深饱和了
用三极管可以考虑以下几点：
1）耐压够不够
2）负载电流够不够大
3）速度够不够快（有时却是要慢速）
4）B极控制电流够不够
5）有时可能考虑功率问题
6）有时要考虑漏电流问题（能否“完全”截止）。
7）增益
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