2016-12-30 16:44:57 |人围观 |
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半导体二极管的参数包括最大整流电流
I
F、反向击穿电压
V
BR、最大反向工作电压
V
RM、反向电流
I
R等。几个主要的参数介绍如下：
(1) 最大整流电流
I
F――二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。
(2) 反向击穿电压
V
BR
和最大反向工作电压
V
RM――二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压
V
BR。为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压
V
RM一般只按反向击穿电压
V
BR的一半计算。
(3) 反向电流
I
R――在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(
mA)级。
(4) 正向压降
V
F――在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。
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