2017-02-03 15:30:58 |人围观 |
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1、 输入特性曲线
在三极管共发射极连接的情况下，当集电极与发射极之间的电压
U
CE维持不同的定值时，
u
BE和
i
B之间的一簇关系曲线，称为共射极输入特性曲线。一般情况下，当
U
CE≥1V时，集电结就处于反向偏置，此时再增大
U
CE对
i
B的影响很小，也即
U
CE＞1V以后的输入特性与
U
CE＝1V的一条特性曲线重合，所以，半导体器件手册中通常只给出一条
U
CE≥1V时的输入特性曲线，如图所示。输入特性曲线的数学表达式为：
i
B＝
f（
u
BE）|
UCE= 常数
三极管的输入特性曲线与二极管的伏安特性曲线很相似，也存在一段死区，硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.2V。导通后，硅管的
U
BE约为0.7V，锗管的
U
BE约为0.3V。
2、输出特性曲线
输出特性是指以基极电流
I
B为常数，输出电压
u
CE和输出电流
i
C之间的关系，即：
i
C＝
f（
u
CE）|
IB=常数。对于不同的
I
B，所得到的输出特性曲线也不同，所以，三极管的输出特性曲线是一簇曲线。根据三极管的工作状态不同，可以将输出特性分为三个区域，如图所示。
硅管的管压降为0.7V；锗管的管压降为0.3V。
（1）截止区：指
I
B=0的那条特性曲线以下的区域。在此区域里，
三极管的发射结和集电结都处于反向偏置状态，三极管失去了放大作用，集电极只有微小的穿透电流
I
CEO。
（2）饱和区：指紫色区域。在此区域内，对应不同I
B值的输出特性曲线族几乎重合在一起。也就是说，
U
CE较小时，
I
C虽然增加，但
I
C增加不大，即
I
B失去了对
I
C的控制能力。这种情况，称为三极管的饱和。饱和时，
三极管的发射结和集电结都处于正向偏置状态。三极管集电极与发射极间的电压称为集－射饱和压降，用
U
CES表示。
U
CES很小，通常中小功率硅管
U
CES＜0.5V。
紫色区域右边缘线称为临界饱和线，在此曲线上的每一点应有|
U
CE| = |
U
BE|。它是各特性曲线急剧拐弯点的连线。在临界饱和状态下的三极管，其集电极电流称为临界集电极电流，用
Ics表示；其基极电流称为临界基极电流，用
I
BS表示。这时
I
CS＝
βI
BS的关系仍然成立。
（3）放大区：在截止区以上，介于饱和区与击穿区之间的区域为放大区。在此区域内，特性曲线近似于一簇平行等距的水平线，
i
C的变化量与
i
B的变量基本保持线性关系，即
Δi
C
=βΔi
B，且Δ
i
C>>Δ
i
B，就是说在此区域内，三极管具有电流放大作用。此外集电极电压对集电极电流的控制作用也很弱，当
u
CE＞1 V后，即使再增加
u
CE，
i
C几乎不再增加，此时，若
I
B不变，则三极管可以看成是一个恒流源。在放大区，
三极管的发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置状态。
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