功率MOSFET的开关特性

2016-12-05 18:00:45 |人围观 | 评论:

当脉冲电压下降到零时，栅极输入电容Ci通过信号源内阻RS和栅极电阻RG开始放电，栅极电压UGS按指数曲线下降，当下降到UGSP时，漏极电流才开始减小，这段时间称为关断延迟时间ts。之后，Ci 继续放电，从iD减小，到UGS＜UT沟道关断，iD下降到零。这段时间称为下降时间tf。关断时间toff可表示为
toff＝ts＋tf
由上分析可知，改变信号源内阻RS，可改变Ci 充、放电时间常数，影响开关速度。