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晶体管的电流分配问题和放大作用

2016-12-30 16:49:23 |人围观 | 评论:

晶体管放大作用必须满足的条件:
内部条件: 晶体管结构上的特点
外部条件: 晶体管的发射结加正向电压,集电结加反向电压。P区接正,N区接负; N区接正,P区接负。
（一）晶体管内部载流子的运动
1.发射区向基区注入电子的过程
载流子运动主要表现为发射区向基区注入电子，形成电流iE≈iEn.
2.电子在基区的扩散过程
注入的电子在扩散的过程中，极少数与基区的空穴复合形成iB，绝大部分扩散到集电结边界。
3.电子被集电级收集的过程
电子受到集电结上的电场吸引而迅速漂移过集电结，形成iCn. 集电结反向偏置必然要使集电区与基区的少子漂移，形成ICBO。





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(二）晶体管的电流分配关系
晶体管各极的电流构成：
发射极电流 iE大部分流入集电极形成 iCn。
令
令
则

（1）当 iB=0 时， iC=ICEO。 称ICEO为穿透电流

（2）当 ICEO≈0, 则iC≈iB即
代表iB对iC的控制作用， 越大，控制作用越强。
（三）晶体管的放大作用
本质: 电流控制作用，即iB对iC或iE对iC的控制作用。
在集电极回路中串接一个负载电阻，就可以在负载电阻两端得到相应的幅度较大的变化电压。
集电极回路中接入的负载电阻上，仍可得到较大的输出信号电压。