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| 绝缘栅场效应管是一种金属―氧化物―半导体场效应管，简称MOS管。 | ||||||||||||||||||||||||||
| MOS管按工作方式分类: | 增强型MOS管:N 沟道, P沟道 耗尽型MOS管:N 沟道, P沟道 |
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| （一）N沟道增强型MOS管的结构和工作原理 | ||||||||||||||||||||||||||
| 1.结构和符号: | ||||||||||||||||||||||||||
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| 2.工作原理 | ||||||||||||||||||||||||||
| 绝缘栅场效应管是利用电场效应来改变导电通道的宽窄，从而控制漏-源极间电流的大小。 | ||||||||||||||||||||||||||
| （1）感生沟道的形成：栅极和源极之间加正向电压 | ||||||||||||||||||||||||||
| ① 在电场的作用下，可以把P型衬底表面层中多数载流子空穴全部排斥掉，形成空间电荷区。 ② 当uGS增加到某一临界电压(UT)值时，吸引足够多的电子，在P型半导体的表面附近感应出一个N型层,形成反型层―-漏源之间的导电沟道。开始形成反型层的uGS称为开启电压(UT)。 |
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| uGS越高，电场越强，感应的电子越多，沟道就越宽。 | ||||||||||||||||||||||||||
| （2）栅源电压uGS对漏极电流iD的控制作用 | ||||||||||||||||||||||||||
| 在栅源电压uGS=0时，没有导电沟道。增大VGG，使uGS=UT时形成导电沟道。 | ||||||||||||||||||||||||||
| uGS对iD的控制作用： | ||||||||||||||||||||||||||
| uGS变大 |  |
iD变大 | ||||||||||||||||||||||||
| 沟道宽度变宽 | 沟道电阻变小 | |||||||||||||||||||||||||
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