N沟道结型场效应管：两个P+区中间的N型半导体，在加上正向uDS电压时就有电流流过，故称为N沟道。（一）工作原理1. uGS对导电沟道的影响：
栅源级间加反向电压改变uGS的大小，就可以改变沟道宽窄，即改变沟道的电阻，从而控制iD的大小。这与绝缘栅场效应管是一样的。2. uDS对导电沟道的影响：
漏源级间加正向电压漏级电位最高，PN结最宽，源级电位最低，PN结最窄。随着uDS增大，PN结加宽，将产生预夹断。uDS再增大，夹断区向下发展。（二）特性曲线：
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