LPC2114/2124/2210/2212/2214微控制器的ARM内核工作在最高频率60MHz时，执行一条指令约为17ns。而Flash存储器的访问周期需要50ns，即最高频率20MHz。所以如果将代码存放在Flash中，将影响ARM内核发挥最大效能。为了能将指令从内部Flash存储器更高效快速地提取到ARM内核，而设计产生了一个存储器加速模块（MAM）。
MAM结构
存储器加速模块寄存器描述
MAM控制寄存器(MAMCR)：
MAMCR[1:0]：用于MAM的模式控制，具体关系如下表。
存储器加速模块寄存器描述
MAM定时寄存器(MAMTIM)：
MAMTIM[2:0]：决定使用多少个CCLK周期访问Flash存储器，这样可以调整MAM时序使其匹配处理器操作频率，具体关系如下表。
当访问周期设置为1个CCLk时，实际上关闭了MAM，但是仍可以选择MAM模式对功耗进行优化。
注意：不正确的设定会导致器件的错误操作
MAM使用要点
当改变MAM定时值时，必须先将MAMCR设置为0关闭MAM，然后将新值写入MAMTIM。最后将需要的操作模式的对应值（1或2）写入MAMCR，再次打开MAM；
对于低于20MHz的系统时钟，MAMTIM设定为001，将Flash访问时间设定为1CCLK ；对于20MHz到40MHz之间的系统时钟，建议将Flash访问时间设定为2CCLK；高于40MHz的系统时钟，建议使用3CCLK。
相关启动代码分析
外部存储器控制器概述
EMC模块支持4个独立配置的存储器组，每个存储器组的总线宽度可设置为8、16或者32位，但是同一个存储器组的器件必须宽度相同。
每个存储器组最大支持16MB寻址空间。
支持字节定位读取。
地址输出线是A[23:0]，其中地址位A[25:24]用于4个存储器组的译码（CS[3:0]）。
外部存储器总线接口描述
接口引脚描述：
这些引脚与P1、P2和P3口GPIO功能复用，所以在使用外部总线前首先要正确设置PINSEL2寄存器。可以在硬件上对引脚BOOT1:0设定，复位时微处理器自动初始化PINSEL2。或者在软件上字节初始化PINSEL2，这只适用于片内FLASH引导程序运行的系统中。
外部存储器读访问典型波形：
经过一个等待状态后，存储器输出有效数据。
外部存储器写访问典型波形：
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